在AI需求爆发与高价值产品渗透的双重推动下，2025年第二季度全球DRAM市场实现量价齐升。根据CFMS最新数据，二季度市场规模环比增长20%至321.01亿美元，同比增长37%，创历史季度新高。头部厂商中，SK海力士凭借HBM3E及高容量DDR5的先发优势，二季度DRAM销售收入达122.71亿美元，环比增长25.1%，市场份额提升至38.2%，连续第二个季度稳居全球第一，并进一步拉开与三星的差距。· 三星以107.58亿美元收入位列第二，环比增长13%，市场份额33.5%；· 美光科技收入70.71亿
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SK海力士公司今天宣布，在日本京都举行的20251年IEEE VLSI研讨会上，该公司提出了未来30年的DRAM新技术路线图和可持续创新的方向。SK海力士首席技术官（CTO）车善勇于6月10日发表了题为“推动DRAM技术创新：迈向可持续未来”的全体会议。首席技术官 Cha 在演讲中解释说，通过当前的技术平台扩展来提高性能和容量变得越来越困难。“为了克服这些限制，SK海力士将在结构、材料和组件方面进行创新，将4F² VG（垂直门）平台和3D DRAM技术应用于10纳米级或以下的技术。4F² VG平台是下一代
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目前，在自动驾驶、智能家居系统和工业控制等领域，对边缘智能硬件的需求日益增加，以在本地处理传感器和智能设备生成的实时环境数据，从而最小化决策延迟。能够精确模拟各种生物神经元行为的神经形态硬件有望推动超低功耗边缘智能的发展。现有研究已探索具有突触可塑性（即通过自适应变化来增强或减弱突触连接）的硬件，但要完全模拟学习和记忆过程，多种可塑性机制——包括内在可塑性——必须协同工作。为解决这一问题，由复旦大学微电子学院包文忠教授、集成电路与微纳电子创新学院周鹏教授以及香港理工大学蔡阳教授领衔的联合研究团队提出了一种
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三星电子因与英伟达的 HBM3E 验证问题而面临困境，据韩国媒体 outlets sedaily 和 The Hankyoreh 报道，该公司在其 8 月 14 日发布的半年度报告中称，其 DRAM 市场份额按价值计算在 2025 年上半年降至 32.7%，较去年的 41.5%下降了 8.8 个百分点。值得注意的是，《韩民族日报》报道，三星的 DRAM 市场份额首次跌破 40%，自 2014 年以来，2025 年上半年降至 32.7%，而 2016 年曾达到 48%
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三星 DRAM 存储
全球存储解决方案领导者铠侠宣布，其采用第九代 BiCS FLASH™ 3D 闪存技术的 512Gb TLC存储器已开始送样（1）。该产品计划于 2025 年投入量产，旨在为中低容量存储市场提供兼具卓越性能与能效的解决方案。此外，这款产品也将集成到铠侠的企业级固态硬盘中，特别是需要提升 AI 系统 GPU 性能的应用。为应对尖端应用市场的多样化需求，同时提供兼具投资效益与竞争力的产品，铠侠将继续推行“双轨并行
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根据 TrendForce 最新内存现货价格趋势报告，关于 DDR4，由于两家主要韩国供应商对消费级 DRAM 芯片实施了显著的月度价格上调，之前的价格下跌趋势有所缓解。至于 NAND 闪存，高容量产品受到买方和卖方预期价格差异的限制，实际交易中变得稀缺。详情如下：DRAM 现货价格：关于 DDR4 产品的现货价格，由于两家主要韩国供应商对消费级 DRAM 芯片实施了大幅度的月度涨价，之前的价格下跌趋势有所缓和。目前，DDR4 市场显示现货价格已停止下跌，交易量有明显增加。转向 DDR5 产品，随着合约价
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随着 JEDEC 于 7 月 9 日发布 LPDDR6 标准，内存巨头正竞相满足来自移动和 AI 设备的激增需求。值得注意的是，据行业消息人士援引 商业时报 的报道，DDR6 预计将于 2027 年进入大规模应用。领先的 DRAM 制造商，包括三星、美光和 SK 海力士，已经启动了 DDR6 开发，重点关注芯片设计、控制器验证和封装模块集成。正如商业时报所述，三大主要 DRAM 制造商已完成 DDR6 原型芯片设计，现在正与内存控制器和平台参与者如英特尔和 AMD 合作进行接口测试。在
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DDR6 DRAM 存储
中国存储半导体公司长鑫存储科技 （CXMT） 和长江存储科技 （YMTC） 正在加强其在全球存储半导体市场的影响力，在大约一年后将其产能几乎翻了一番。自去年以来，中国内存开始在三星电子和 SK 海力士主导的通用 DRAM 市场中崭露头角，从传统 DRAM 开始，在国内市场需求和政府补贴的推动下，中国内存正在提高其竞争力。此外，它还对高带宽内存 （HBM） 和 300 层 3D NAND 闪存等先进产品线提出了挑战，缩小了与三星电子和 SK 海力士的差距。根据 ChosunBiz 21 日获得的 Omdia
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CXMT YMTC DRAM NAND
随着内存制造商逐步淘汰 DDR4，预计出货将在 2026 年初结束，合同价格持续上涨。据中国的 华尔街见闻 报道，SK 海力士已将 DDR4 和 LPDDR4X 内存的合同价格上调约 20%，标志着新一轮价格上涨。这种趋势与 TrendForce 的发现相呼应，该机构指出，三大主要 DRAM 供应商正在将产能重新分配给高端产品，并逐步淘汰 PC、服务器级 DDR4 和移动 LPDDR4X。因此，据 TrendForce 预测，2025 年第三季度主流 DRAM 的平
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DDR4 DRAM 存储
从5月29日美国政府颁布对华EDA禁令到7月2日宣布解除，33天时间里中美之间的博弈从未停止，但对于EDA公司来说，左右不了的是政治禁令，真正赢得客户的还是要靠自身产品的实力。作为芯片设计最前沿的工具，EDA厂商需要深刻理解并精准把握未来芯片设计的关键。 人工智能正在渗透到整个半导体生态系统中，迫使 AI 芯片、用于创建它们的设计工具以及用于确保它们可靠工作的方法发生根本性的变化。这是一场全球性的竞赛，将在未来十年内重新定义几乎每个领域。在过去几个月美国四家EDA公司的高管聚焦了三大趋势，这些趋
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EDA 3D IC 数字孪生
根据 TrendForce 最新的内存现货价格趋势报告，关于 DRAM，16Gb DDR4 消费者内存芯片的现货价格持续上涨，而 8Gb DDR4 等 PC 内存芯片则出现轻微回调。至于 NAND 闪存，供应商逐步释放产能资源，加上中国国家补贴的减弱效应，导致现货市场低迷。详情如下：DRAM 现货价格：尽管过去一周现货价格略有下降，但这主要反映了之前 DDR4 芯片价格的快速大幅上涨。整体供应仍然非常紧张。值得注意的是，16Gb DDR4 消费级 DRAM 芯片的现货价格继续上涨，而 8Gb DDR4 等
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内存 DDR4 DRAM
● 全新 Innovator3D IC 套件凭借算力、性能、合规性及数据完整性分析能力，帮助加速设计流程● Calibre 3DStress 可在设计流程的各个阶段对芯片封装交互作用进行早期分析与仿真西门子数字化工业软件日前宣布为其电子设计自动化 (EDA) 产品组合新增两大解决方案，助力半导体设计团队攻克 2.5D/3D 集成电路 (IC) 设计与制造的复杂挑战。西门
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上周，台湾地区顶级 DRAM 制造商南亚科技据报道暂停了 DDR4 现货报价，因为价格飙升。现在，随着 DDR4 16Gb 芯片的价格几乎是同等 DDR5 的两倍——这是 DRAM 历史上的第一次——该公司有望从其大量库存中获利，根据经济日报的最新数据，引用了 DRAMeXchange 的数据，DRAMeXchange 是一个趋势力旗下的 DRAM 定价平台。随着三星、美光和中国芯片制造商缩减 DDR4 生产，南亚科技已成为该行业的主要供应商。据报告称，南亚科技第一季度库存飙升至创纪录的 37.59 亿新
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DDR4 DRAM 存储
东京科学研究所在 IEEE电子元件和技术会议 ECTC 上透露了其 BBCube 3D 集成流程的进展。“这些新技术可以帮助满足高性能计算应用的需求，这些应用需要高内存带宽和低功耗以及降低电源噪声，”该研究所表示。BBCube 结合使用晶圆上晶圆 （WOW） 和晶圆上芯片 （COW） 技术，将处理器堆叠在一堆超薄 DRAM 芯片上。将处理器放在顶部有助于散热，而该研究所的面朝下的 COW 工艺最初是为了摆脱焊接互连而开发的，而是在室温下使用喷墨选择性粘合剂沉积。用于 300mm 晶圆，实现了 10μm 的
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DRAM 处理器 3D堆栈集成
来自日本东京科学研究所 （Science Tokyo） 的一组研究人员构思了一种名为 BBCube 的创新 2.5D/3D 芯片集成方法。传统的系统级封装 （SiP） 方法，即使用焊料凸块将半导体芯片排列在二维平面 （2D） 中，具有与尺寸相关的限制，因此需要开发新型芯片集成技术。对于高性能计算，研究人员通过采用 3D 堆栈计算架构开发了一种新颖的电源技术，该架构由直接放置在动态随机存取存储器堆栈上方的处理单元组成，标志着 3D 芯片封装的重大进步。为了实现 BBCube，研究人员开发了涉及精确和高速粘合
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2.5D/3D 芯片技术 半导体封装
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